从事IT的同行都应该知道，最近一段时间以来，由于市面上的晶圆价格飞涨，

导致ST处理器的价格也坐上了火箭，

STM32F051R8T6的单价由半年前的5元左右飞涨到20元以上。

STM32F103RCT6的单价也由半年前的8元左右飞涨至30元左右。

而且，有钱还抢不到货，定货交期也延长到几个月至半年。

为了突破这一困境，同时为了支持我国的半导体产业，这段时间对国内的Cortex-M3内核的处理器做了一些研究。

其中GigaDevice的GD32103系列处理器可以完美替代STM32F103系列处理器，本文对这两个系统处理器的异同点做一些分析；

相同部分

1） 内核一样，都是采用Cortex-M3的内核。

2） 芯片的命名规则一样，对于后缀相同的芯片（比如GD32F103RCT6和STM32F103RCT6），其RAM， ROM空间大小一样，管脚定义一样，其管脚的复用功能也一样，芯片封装上可以做到PIN对PIN兼容，有可能不需要重新布板。

3） 芯片内部寄存器以及外设寄存器地址和定义一样，但是默认值稍有不同，在使用时需要注意。

4） 两款芯片都可以使用KEIL、IAR等编译器，开发环境一样；

5） 都可以使用STLINK、JLINK等仿真、烧写工具；

差异部分

硬件方面需要注意的事项

1） 对于BOOT引脚，ST可以悬空，但是GD必须要接到GND

2) 对于采用电池供电的产品，GD系列的单片机在2.6V以下就不能工作了。此时带保护板3.7V锂电池实际上还有电压输出，要考虑电池的续航时间以及GD在临界电压工作电压附近工作是否正常。需要特别做一些测试。

3）由于GD系列单片机的JTAG/SWD引脚的驱动能力较弱，在烧写、仿真时，可能会出现连接不稳定的情况，可以减少连线，或者在SWDIO接10K上拉电阻， SWCLK接10K下拉电阻。

软件方面需要注意的事项

1）GD在配置外设时需要先打开时钟，否则可能导致无法配置，而ST可以先配置再打开时钟。

2）GD为了保证可靠复位，启动时间更长，在使用外部晶振时，需要修改外部晶振起振超时时间，

将宏定义：

#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)

修改为：

#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)

3）GD32F10X 系统处理器的Flash采用专利技术可以做到取值零等待，而ST需要两个时间周期，因此，如果IIC、SPI等通信有通过执行代码来延时，需要根据情况调整代码。

4）GD对Flash的擦写时间更长, Flash擦写操作的超时等待时间需要加长；

5）Flash分区要求

如果使用的Flash容量大于256KByte，则需要注意：

GD的flash存在分区的概念，在前面256K的code区，CPU读指令不需要等待，而256K范围外的区域被称为data区，这两块区域在擦写操作上没有区别，但在读操作时间上存在较大差别。

code区读操作不需要等待，而data的读操作需要有较大的延时时间 ，因此，两个区代码执行效果不同，建议将实时性要求好的代码放在code区，操作比较少的数据（比如显示图片，文字等）存入data区。

6）A/D转换

A/D通道默认是浮空输入， GD要配置成模拟输入才能正常采集，而ST不需要。

A/D时钟如果没有分频，则为最高频率14MHz，ST在14MHz时钟时能正常工作，而GD不行。

A/D使能之后，GD需要不少于20us的延时才能开始转换，而ST不需要。

GD的A/D转换精度不如ST。

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